一种磁控溅射设备及磁控溅射系统
基本信息
| 申请号 | CN201610973400.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106498357A | 公开（公告）日 | 2017-03-15 |
| 申请公布号 | CN106498357A | 申请公布日 | 2017-03-15 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐兴;李泽宇;周媛;魏志英 | 申请（专利权）人 | 广汉川冶新材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李佳 |
| 地址 | 618000 四川省德阳市广汉市新丰镇古城村九社 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种磁控溅射设备及磁控溅射系统，属于半导体制造领域。该磁控溅射设备，包括壳体、磁靶、锆靶材组件、遮挡部以及用于安装基材的炉盘。壳体具有第一内壁、第二内壁和第三内壁，第一内壁和第二内壁相对间隔设置。第一内壁、第二内壁和第三内壁共同围合成反应腔体。炉盘安装于第一内壁，磁靶安装于第二内壁，锆靶材组件设置于磁靶远离第二内壁的一侧。遮挡部设置于第三内壁，遮挡部具有第一凹槽，第一凹槽的开口朝向远离第三内壁的一侧，且第一凹槽的开口覆盖有筛网。这种磁控溅射设备和磁控溅射系统，均能够有效避免反溅射物脱落对溅射环境的影响，有效提高反应腔体内锆金属薄膜的质量，从而提高半导体器件的性能。 |
