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一种高精度自增益补偿控制方法及其控制电路

基本信息

申请号 CN202011333661.8 申请日 -
公开（公告）号 CN112433471A 公开（公告）日 2021-03-02
申请公布号 CN112433471A 申请公布日 2021-03-02
分类号 G05B11/42(2006.01)I 分类 控制；调节;
发明人 于泠然;潘月斗;王磊;陈涛;冯春;于广华 申请（专利权）人 北京麦格纳材科技有限公司
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 代理人 张仲波
地址 101300北京市顺义区仁和镇顺强路1号2幢1层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种高精度自增益补偿控制方法及其控制电路，方法包括：根据惠斯通双桥对输出侧建模，建立惠斯通电桥输出侧电压方程；通过所述惠斯通电桥输出侧电压方程，得到弦波电压输出信号与惠斯通电桥输出的李萨茹圆电压的实际值R，并与惠斯通电桥输出李萨茹圆电压的理想电压值E0比较；设计满足系统开环与闭环性能要求的自增益补偿控制器；将所述E0与R比较得出的偏差值输入到自增益补偿控制器中，通过对偏差值进行比例和积分运算得到控制输出电压信号。本发明将高精度自增益补偿模块应用到磁传感器弦波信号输出回路中，由于高精度自增益补偿控制器强鲁棒性，能够有效地提高磁传感器检测精度，提高磁传感器干扰条件下的检测性能。