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一种磁传感器芯片抗电磁干扰结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011226228.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112577531A	公开（公告）日	2021-03-30
申请公布号	CN112577531A	申请公布日	2021-03-30
分类号	G01R33/00(2006.01)I;G01R33/02(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I;G01D5/244(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	于泠然;王磊;于广华;潘月斗;冯春;陈涛	申请（专利权）人	北京麦格纳材科技有限公司
代理机构	北京市广友专利事务所有限责任公司	代理人	张仲波;邓琳
地址	101300北京市顺义区仁和镇顺强路1号2幢1层
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种磁传感器芯片抗电磁干扰结构及其制备方法，所述磁传感器芯片抗电磁干扰结构包括并联设置在磁编码器磁码盘上的多组惠斯通双电桥结构；每组所述惠斯通双电桥结构之内的两个惠斯通电桥的电角度为90°，相邻两组所述惠斯通双电桥结构的电角度为360°；电角度定义为：用磁编码器磁传感器芯片测量码盘磁极信号时，磁传感器芯片中惠斯通电桥输出电压弦波信号对应的相位角度。本发明基于磁编码器磁码盘的磁极宽度以及磁码盘尺寸，将通用的磁传感器芯片惠斯通双电桥结构改为多组惠斯通双电桥空间并联结构，以多组惠斯通双电桥结构测量结果的均值作为输出电压值，能够有效降低磁传感器输出电压信号的波动范围，提高其抗电磁干扰性能。