一种FBAR器件的封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510325187.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105097714A | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 申请公布号 | CN105097714A | 申请公布日 | 2015-11-25 |
| 分类号 | H01L23/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨清华;欧毅;刘杰;赖亚明;吴光胜;顾程先;陈庆;朱丽娜 | 申请（专利权）人 | 贵州汉天下科技（集团）有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 贵州中科汉天下电子有限公司 |
| 地址 | 556000 贵州省黔东南苗族侗族自治州凯里市经济开发区甘塘路2号中盛茗园B栋3单元4层402号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种FBAR器件的封装结构，所述封装结构包括衬底、至少一个第一凹槽、焊盘、第二凹槽、第一电极层、第二电极层和至少一个FBAR器件片：所述衬底的上表面形成至少一个第一凹槽；所述第一凹槽两侧各形成一个焊盘；所述第二凹槽形成于所述焊盘的表面上；所述FBAR器件与所述焊盘键合，且FBAR器件的电极置于所述第一凹槽内；所述第一电极层形成于所述衬底的下表面上，同时覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁；所述第二电极层形成于所述第一电极层的下表面上。相应地，本发明还公开了一种FBAR器件封装结构的制造方法。实施本发明可降低封装工艺的难度，优化了生产工艺和生产周期，使封装成本大幅下降。 |
