制备钕铁硼磁体的低温烧结方法
基本信息
| 申请号 | CN201611236352.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106623916A | 公开（公告）日 | 2017-05-10 |
| 申请公布号 | CN106623916A | 申请公布日 | 2017-05-10 |
| 分类号 | B22F3/10(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I | 分类 | 铸造；粉末冶金; |
| 发明人 | 张英伟 | 申请（专利权）人 | 京磁新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 史霞 |
| 地址 | 300000 天津市华苑产业区华天道2号5005房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备钕铁硼磁体的低温烧结方法，其包括：在钕铁硼生坯加热脱气完成后，进行烧结之前，将钕铁硼生坯温度升至高出烧结目标温度5‑15℃，并保温1‑2h。本发明所述制备钕铁硼磁体的低温烧结方法，具有操作简单，磁体更加致密，磁体综合性能好，能耗低的优点，且易于推广。 |
