一种微型高密度阵列自由曲面电极
基本信息
| 申请号 | CN201921122714.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211513126U | 公开（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申请公布号 | CN211513126U | 申请公布日 | 2020-09-18 |
| 分类号 | A61N1/05(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 吴昭;杨旭燕;杨佳威 | 申请（专利权）人 | 杭州暖芯迦电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 311121浙江省杭州市余杭区文一西路998号海创园4号楼608 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种微型高密度阵列自由曲面电极，包括基底和若干个电极柱；所述的基底包括焊接面和刺激面；所述的电极柱包括柱头和柱尾；所述的电极柱贯穿基底，柱尾与焊接面呈一个平面，柱头凸出于刺激面。常见的神经刺激电极其电极柱尾部往往设在基底内部，然后再从基底内部引出导线与刺激芯片连接。本发明采用的贯穿式电极结构相较现有结构，在制作上更加方便，适合大批量制作，而且电极柱的柱尾裸露在基底的焊接面，使得刺激芯片的管脚可以和电极柱直接连接，省去了导线，简化了制作工艺。 |
