一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法

基本信息

申请号 CN201910823826.0 申请日 -
公开(公告)号 CN110473792B 公开(公告)日 2021-04-02
申请公布号 CN110473792B 申请公布日 2021-04-02
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐开凯;刘炜恒;施宝球;曾德贵;赵建明;曾尚文;钱呈;钱津超;李建全;廖楠;徐银森;刘继芝;李洪贞;陈勇;黄平;李健儿 申请(专利权)人 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
代理机构 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 代理人 刘谟培;左燕生
地址 611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法,包括如下步骤:(1)原芯片重新布局布线工艺;(2)重新布局布线层表面做钝化处理;(3)芯片倒置后填涂第一塑封层;(4)芯片外接引脚淀积金属外延层;(5)执行第一次切割工艺;(6)填充第二塑封层;(7)进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面;(8)在金属外延层焊接表面生成金属焊球;(9)执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题,无须使用高成本模具,大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。