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一种屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法

基本信息

申请号 CN202110811506.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113745337A 公开（公告）日 2021-12-03
申请公布号 CN113745337A 申请公布日 2021-12-03
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 孙健;其他发明人请求不公开姓名 申请（专利权）人 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 629000四川省遂宁市经济技术开发区飞龙路66号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法，在外延层的沟槽侧壁生长屏蔽栅氧化层，然后填充屏蔽栅多晶硅，将屏蔽栅多晶硅回刻至第一目标深度；淀积目标厚度T的氮化硅层，以形成隔离屏蔽栅多晶硅和器件栅极的介质隔离层，氮化硅层回刻至外延层表面处；刻蚀屏蔽栅氧化层至第二目标深度，蚀刻氮化硅层至第一目标厚度K，使得氮化硅层上表面伸出屏蔽栅氧化层表面；生长栅氧化层，淀积栅极多晶硅，蚀刻栅极多晶硅至第三目标深度，以形成屏蔽栅沟槽MOSFET，本申请具有结构稳定、生产效率高、成本低等优点。