一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN202121633119.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215266310U | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN215266310U | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙健;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 629000四川省遂宁市经济技术开发区飞龙路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请及一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET，包括：屏蔽栅沟槽；所述沟槽的侧壁从底部至第二目标深度覆屏蔽栅氧化层，沟槽侧壁从所述第二目标深度至开口处覆栅氧化层；所述沟槽内从底部至第一目标深度填充屏蔽栅多晶硅，从第一目标深度往上填充目标厚度K的氮化硅层，所述氮化硅层表面至第三目标深度填充栅极多晶硅；所述屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅被氮化硅层完全隔离，所述氮化硅层顶部嵌入到所述栅极多晶硅内。本申请可缩短施工时间，间接提高了生产效率，在制造成本上，氮化硅层也优于高密度等离子体（HDP），从而节约了制造成本。 |
