降低晶体管的阈值电压的电路、放大器和NAND闪存

基本信息

申请号 CN201811603314.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111367339B 公开(公告)日 2022-03-01
申请公布号 CN111367339B 申请公布日 2022-03-01
分类号 G05F1/56(2006.01)I 分类 控制;调节;
发明人 邵力;刘星 申请(专利权)人 兆易创新科技集团股份有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 100083北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种降低晶体管的阈值电压的电路、放大器和NAND闪存。该电路包括:反馈电路,反馈电路包括电压反馈输入端、第一衬底电压调整端和电压反馈输出端,电压反馈输入端与晶体管的第一端电连接,第一衬底电压调整端与晶体管的衬底端电连接;衬底电压调整电路,衬底电压调整电路包括第一基准电压输入端、比较电压输入端和第二衬底电压调整端,第一基准电压输入端与第一参考电压线电连接,比较电压输入端与电压反馈输出端电连接,第二衬底电压调整端与晶体管的衬底端电连接;衬底电压调整电路用于降低晶体管的衬底端的电压。本发明实现了采用较低的生产成本降低待调整晶体管的阈值电压的效果,提升了产品的竞争力。