一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构
基本信息
| 申请号 | CN202110123472.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112968086A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN112968086A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L33/08（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李起鸣;游正璋 | 申请（专利权）人 | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200013上海市浦东新区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种同轴生长PNP双色外延MICRO‑LED结构，包括：第一P型电极、第二P型电极和N型电极；衬底；P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；第一色发光层，生长于P型第一色掺杂半导体层上；N型第一色掺杂半导体层，生长于第一色发光层上；第二色发光层，生长于N型第一色掺杂半导体层上；P型第二色掺杂半导体层，生长于第二色发光层上；第一P型电极连接P型第一色掺杂半导体子层；第二P型电极连接P型第二色掺杂半导体子层；N型电极连接N型第一色掺杂半导体第二层和/或第一层。本发明将两种颜色发光外延结构生长在一起，无需键合工艺，简化了多色MICRO‑LED的制备工艺，降低了成本。并且避免了MICRO‑LED制备工艺中的对准问题，提高了器件质量和良率。 |
