用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层
基本信息
| 申请号 | CN201910643463.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110534624B | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN110534624B | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 游正璋;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人 | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200013上海市浦东新区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层，外延层从下往上依次包括第一外延层、第二外延层，位于第一外延层与第二外延层之间的电子流扩散层；第一外延层、第二外延层和电子流扩散层的导电类型相同。本发明的外延层能够有效减小外延层表面的应力，为后续材料层的生长提供了良好的生长界面，从而提高超薄外延结构的质量和最终所制备的器件的性能。 |
