一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层
基本信息
| 申请号 | CN201910643471.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110518102B | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN110518102B | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 游正璋;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人 | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200013上海市浦东新区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层，采用多周期应力调节层以及位于多周期应力调节层顶部的第一导电类型位错微调层来降低第一导电类型外延层中的应力，并且利用第一导电类型位错微调层来控制应力调节层表面的位错浓度。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，对外延结构的刻蚀并不会造成外延结构的侧壁倾斜度很大，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，从而克服了传统外延结构顶部小于底部造成有效出光面积减小的问题，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率。 |
