一种半导体超薄外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201910643472.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110534622B | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN110534622B | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 游正璋;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人 | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200013 上海市浦东新区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体超薄外延结构，包括：位于衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的应力调节层；位于多周期应力调节层上的发光层；位于发光层上的第二导电类型外延层。利用应力调节层来调节第一导电类型外延层中由于生长产生的应力，减小应力对发光层的影响，提高发光层发光效率。进一步的，在应力调节层顶部生长第一导电类型位错微调层，来控制进入发光层的位错浓度，提高发光层的发光效率。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，刻蚀后外延结构的侧壁倾斜度很小，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，使得芯片上单位面积的外延台阶数量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率。 |
