一种宽频段复合隔磁片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811190876.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109243755B | 公开（公告）日 | 2020-02-21 |
| 申请公布号 | CN109243755B | 申请公布日 | 2020-02-21 |
| 分类号 | H01F7/00;H01F1/147;H01F41/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾正青;韩朝庆;计建荣 | 申请（专利权）人 | 苏州世诺新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215200 江苏省苏州市吴江经济技术开发区富土路111号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种宽频段复合隔磁片及其制备方法，宽频段复合隔磁片具有纳米晶薄片与Y2Co17‑xMx薄片多层交替结构；主要工艺步骤纳米晶薄片制备、Y2Co17‑xMx薄片制备、复合隔磁片制备。本发明的隔磁片截止频率高于8GHz，起始磁导率大于20，可以同时兼容KHz到GHz的无线应用。 |
