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一种半导体功率器件测试加热台

基本信息

申请号 CN202120329620.5 申请日 -
公开（公告）号 CN214750672U 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN214750672U 申请公布日 2021-11-16
分类号 G01R31/26（2014.01）I;G01R1/04（2006.01）I;H05B3/02（2006.01）I;H05B3/06（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 胡建力;林氦;邓志江 申请（专利权）人 绍兴市科技创业投资有限公司
代理机构 杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 徐锋
地址 312000浙江省绍兴市越城区皋埠镇银桥路326号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体功率器件测试加热台，从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层，所述陶瓷层的厚度不大于5mm；所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽，每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头，所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设，所述温度探头沿所述条形槽的长度方向均匀埋设，所述温度探头与所述陶瓷层的底面接触；所述条形槽内的空隙用填充导热材料进行填充；所述陶瓷层的上方设有用于夹持半导体器件的夹具，使用时在所述半导体器件与所述陶瓷层之间涂上导热材料。本发明质量较轻，移动方便；温度分布均匀，准确可控，调温快速，有利于半导体器件的准确测试。