首页/ 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司/ 专利详情

一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法

基本信息

申请号 CN202011267391.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112374912A 公开（公告）日 2021-02-19
申请公布号 CN112374912A 申请公布日 2021-02-19
分类号 C04B41/87(2006.01)I 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 戴煜;吴建;王林静;王卓健 申请（专利权）人 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司
代理机构 长沙智路知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 曲超
地址 410118湖南省长沙市天心区暮云工业园顶立科技研发楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，该制备方法包括以下步骤：对石墨基座进行预处理，然后置于石墨分流盘上；进行CVR沉积：将高纯Si粉末和高纯SiO2粉末混合，置于真空炉中，对真空炉进行抽真空处理并在氩气氛围中升温至1850‑2050℃，保温反应2‑4h，在石墨基座表面生成SiC基体层；进行CVD沉积：将真空炉炉温降至1050‑1200℃，然后通入CH3SiCl3‑H2‑Ar反应气源体系，保温反应10‑30h，在步骤S2所形成的SiC基体层上形成SiC外层；使用本发明的制备方法所得碳化硅涂层与石墨基座结合紧密，无明显分层以及涂层高纯、高致密，从而提高石墨基座的抗热震性能。