一种SiC-Hf（Ta）C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座
基本信息
| 申请号 | CN202011270485.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112391606A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112391606A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | C23C16/32(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 戴煜;吴建;刘兴亮 | 申请（专利权）人 | 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 |
| 代理机构 | 长沙智路知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曲超 |
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种SiC‑Hf(Ta)C复合涂层的制备方法、复合涂层及石墨基座，该制备方法包括以下步骤：石墨基体表面预处理；将Si粉和SiO2粉末混合，放入所述化学气相沉积炉中，使化学气相沉积炉中充满氩气；升温至1800‑2000℃，保温进行反应，保持炉压5‑10kPa，反应时间为2‑4h；降温至1500‑1700℃，通入四氯化铪气体、五氯化钽气体、甲烷、氢气和稀释气体氩气，进行CVD沉积，沉积时间为2‑8h；反应完成后，在充满氩气氛围中降温至室温，取出产品；本发明的方法所制备的复合涂层，与石墨基体连接强度高、致密性好、耐高温、抗热震性能好。 |
