一种磁体性能梯度分布的R-T-B磁体的制备方法
基本信息
申请号 | CN202110238620.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113035556A | 公开(公告)日 | 2021-06-25 |
申请公布号 | CN113035556A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
分类号 | H01F41/02;H01F1/057 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 毛华云;毛琮尧;刘永;赖欣 | 申请(专利权)人 | 江西金力永磁科技股份有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 纪志超 |
地址 | 341000 江西省赣州市经济技术开发区金岭西路81号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种磁体性能梯度分布的R‑T‑B磁体的制备方法,包括:配制重稀土浆料;在R‑T‑B磁体取向面的不同区域涂覆重稀土浆料;在R‑T‑B磁体的非取向面的边缘涂覆重稀土浆料,得到涂覆浆料的磁体;将所述涂覆浆料的磁体进行干燥、扩散和时效处理,得到磁体性能梯度分布的R‑T‑B磁体。本发明通过在磁体的不同表面不同位置涂覆稀土浆料,使磁体不同区域产生不同梯度的矫顽力和剩磁,减少了渗透面均匀涂覆带来的剩磁降低;本发明通过对磁体非取向面的涂覆,增强了其矫顽力,可以满足不同厚度的磁钢达到工作性能要求。本发明还提供了一种磁体性能梯度分布的R‑T‑B磁体。 |
