半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202210207403.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114582832A | 公开（公告）日 | 2022-06-03 |
| 申请公布号 | CN114582832A | 申请公布日 | 2022-06-03 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L23/64 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 苏万锡;李海旭 | 申请（专利权）人 | 东芯半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 汪骏飞 |
| 地址 | 201799 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有第一区域和第二区域；器件层，形成在第一区域上；以及虚拟结构，形成在第二区域上，其中虚拟结构包括相互嵌套的第一螺旋形虚拟层和第二螺旋形虚拟层。以此方式，形成在半导体器件上的虚拟结构不但可以用来使芯片版图密度均匀化，而且还可以用作存储电容器。 |
