一种预充电方法及使用该方法的存储器装置
基本信息
| 申请号 | CN202210097610.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512162A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114512162A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | G11C7/12（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 安圣薰 | 申请（专利权）人 | 东芯半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京华讯知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201799上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种预充电方法以及使用该方法的存储器装置。该预充电方法包含以下步骤：步骤1，对所有的位线进行预充电；步骤2，根据页面缓冲器中锁存器的值对位线电压进行设置，其中，当锁存器上的值为“1”时，将与该页面缓存器连接的位线电压升高到高电平；当锁存器上的值为“0”时，将与该页面缓存器连接的位线电压保持为低电平。采用本发明中提供的预充电方法，将会减小因为耦合电容而导致的锁存节点上的电压值的改变，可以有效地减少位线间耦合电容对存储器装置的影响，使得位线上有较大的容性负载时，存储器装置也能正常工作。 |
