具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210113278.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114446965A | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN114446965A | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金镇湖 | 申请（专利权）人 | 东芯半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 熊风 |
| 地址 | 201799上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法。通过将多条位线围绕半导体柱的下部的外壁形成，将多条字线在多条位线的上方隔着中间绝缘层而围绕半导体柱的外壁形成，使得垂直沟槽晶体管的主体能够直接接触半导体衬底，从而避免垂直沟槽晶体管的主体浮动，且可以缩小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，仅通过沉积和蚀刻工艺来形成栅堆叠结构，无需光刻工艺，不借助光掩模而形成字线，结构和工艺较为简单，从而沿用现有设备和材料即可将存储器扩展到10nm以下。 |
