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无电阻的带隙基准源

基本信息

申请号	CN201310296585.1	申请日	-
公开（公告）号	CN103399612A	公开（公告）日	2013-11-20
申请公布号	CN103399612A	申请公布日	2013-11-20
分类号	G05F1/567(2006.01)I	分类	控制；调节;
发明人	贺红荔;刘楠;庄在龙	申请（专利权）人	天津芯创意电子科技有限公司
代理机构	上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）	代理人	江苏芯创意电子科技有限公司;天津芯创意电子科技有限公司
地址	215634 江苏省苏州市张家港保税区华达路36号
法律状态	-

摘要

一种无电阻的带隙基准源包括正、负温度系数产生电路；负温度系数产生电路包括第一NMOS晶体管以及连接成二极管形式的第一、二双极晶体管，第一、二双极晶体管基极与集电极接地、第一双极晶体管发射极耦合至一运算放大器负输入端，第二双极晶体管发射极连接至第一NMOS晶体管源极，第一NMOS晶体管漏极耦合至运算放大器正输入端，一电流镜耦合至第一NMOS晶体管栅极；正温度系数产生电路包括第三、四NMOS晶体管，第三、四NMOS晶体管源极分别连接至第一双极晶体管发射极和第一NMOS晶体管漏极，并分别耦合至运算放大器的负、正输入端，电流镜耦合至第三、四NMOS晶体管栅极，一NMOS自偏置管耦合至第三、四NMOS晶体管漏极；运算放大器输出端耦合至电流镜。