一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010063125.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111244760B | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN111244760B | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01S5/183 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐化勇;仇伯仓;高阳;蒋锴 | 申请（专利权）人 | 江西德瑞光电技术有限责任公司 |
| 代理机构 | 南昌洪达专利事务所 | 代理人 | 黄文亮 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市小蓝经济技术开发区富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法，在半导体衬底上利用外延技术依次生长N型半导体反射层、有源层、p型半导体反射层；所述N型半导体反射层和P型半导体反射层为具有不同折射率的两种半导体材料组成的多对分布布拉格反射镜层；所述P型半导体DBR具有减少的对数；在所述P型半导体反射层上制作一定对数的介质DBR层；通过调节所述介质DBR层的横向尺寸来调节VCSEL的发散角。本发明可以在维持较大的氧化孔直径基础上，实现对VCSEL发散角的调节。 |
