半导体发光芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110063071.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102683527B | 公开（公告）日 | 2015-03-18 |
| 申请公布号 | CN102683527B | 申请公布日 | 2015-03-18 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾坚信 | 申请（专利权）人 | 滁州长光高端智能装备有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司;长春长光精密仪器集团有限公司;滁州长光高端智能装备有限公司 |
| 地址 | 518109 广东省深圳市龙华新区龙观东路83号荣群大厦11楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一型束缚层、发光层及第二型束缚层，该基板与该发光结构层之间还设置有缓冲层及覆盖层，该缓冲层包含有沿该基板延伸方向形成的碳纳米管结构，该碳纳米管结构中包含有同轴氮化物半导体，该覆盖层设置在该基板上且覆盖该缓冲层。本发明还提供一种制造该半导体发光芯片的方法。 |
