一种电阻结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011085858.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112186103A | 公开（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申请公布号 | CN112186103A | 申请公布日 | 2021-01-05 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘卓佳;张旭;梁勇松;王兴梅;高晓翠 | 申请（专利权）人 | 北京飞宇微电子电路有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京飞宇微电子电路有限责任公司 |
| 地址 | 100000北京市经济技术开发区文昌大道8号1幢5B19室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种电阻结构及其制作方法，包括：提供待刻蚀制品，待刻蚀制品包括基片以及依次位于基片顶表面上的电阻薄膜和多层导带薄膜，待刻蚀制品具有待形成导带的第一区域和待形成电阻的第二区域；对多层导带薄膜进行选择性刻蚀，保留第一区域的导带薄膜，去除其他区域的导带薄膜；对电阻薄膜进行选择性刻蚀，保留第二区域的电阻薄膜，去除其他区域的电阻薄膜，形成所需的电阻结构。与现有技术中的制作方法相比，本发明所提供的方法减少了腐蚀次数，缩短了电阻薄膜和导带薄膜暴露于腐蚀液中的时间，从而改善了电阻薄膜图形的掏蚀现象。 |
