全MOS电压及温度监测方法及电路
基本信息
| 申请号 | CN201910871214.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110542849B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN110542849B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | G01R31/317（2006.01）I;G01R31/40（2014.01）I;G01K13/00（2021.01）I;G01R35/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 徐肯 | 申请（专利权）人 | 广州粒子微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京中索知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡大成 |
| 地址 | 510663广东省广州市黄埔区科学大道162号B2区902 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种全MOS电压及温度监测方法和监测电路，包括两个环形振荡器RO1和RO2、两个时间/数字转换器TDC1和TDC2、一个温度映射模块、一个电压映射模块、一个基准时钟分频器模块以及两个补偿模块。其中，基准时钟是由晶体振荡器提供，环形振荡器RO1由core域电源电压VDD_CORE供电，而环形振荡器RO2由电池电压VBAT供电。基准时钟经分频器后分别连接到TDC1和TDC2，TDC1和TDC2的输出端分别连接到温度映射模块和电压映射模块。本发明能实现真正的全MOS，不需要增加额外的掩膜版，对PVT进行了有效的校准，提高了监测的精度；本发明还具有结构简单、面积小、无静态功耗的优点。 |
