聚合物半导体薄膜及其制备方法、气体传感器
基本信息
| 申请号 | CN202110720204.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113429605A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113429605A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | C08J5/18（2006.01）I;C08G61/12（2006.01）I;C08L65/00（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;G01N27/00（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 丁士进;谭昊天;吴小晗;张卫 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 200433上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种聚合物半导体薄膜的制备方法，包括步骤：S0：将衬底放入原子层沉积设备的反应腔体中；S1：向所述反应腔体中通入第一混合反应气体，所述第一混合反应气体包括第一前驱体；S2：向所述反应腔体中通入第二混合反应气体，所述第二混合反应气体包括第二前驱体，使所述第一前驱体与所述第二前驱体反应生成聚合物；S3：循环交替进行所述步骤S1和所述步骤S2，直至生成的聚合物半导体薄膜达到目标薄膜厚度，使得制备的聚合物半导体薄膜厚度精确可控，可以精确到纳米级别，并且即使在小于10nm的超薄厚度下，所述聚合物半导体薄膜仍然具有连续、均匀的薄膜形貌。本发明还提供一种聚合物半导体薄膜和气体传感器。 |
