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P型环栅器件堆叠结构及增强P型环栅器件沟道应力方法

基本信息

申请号 CN202110650073.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113394295A 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN113394295A 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张卫;徐敏;刘桃;汪大伟;王晨;徐赛生;吴春蕾;尹睿 申请（专利权）人 上海集成电路制造创新中心有限公司
代理机构 上海慧晗知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 徐海晟;陈成
地址 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区碧波路690号401-23室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种用于P型环栅器件的堆叠结构及增强P型环栅器件的沟道应力的方法，通过将堆叠件的牺牲层与沟道层材料的晶格常数设置成牺牲层材料的晶格常数小于沟道层的材料的晶格常数，并且沟道层的材料的晶格常数等于底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，沟道层无应变，牺牲层具有初始的张应变；当牺牲层发生弛豫时，沟道层受到牺牲层因弛豫而诱导的压应变，从而巧妙地利用牺牲层来增强P型环栅器件的沟道层应力，从而提高P型环栅器件的空穴迁移率。