非易失性存储器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110591322.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113380881A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113380881A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/792（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/44（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁士进;霍景永;熊文;吴小晗;张卫 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 200433上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种非易失性存储器，包括源电极、漏电极、以及从下而上依次堆叠设置的栅极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层和有源沟道层，所述源电极和所述漏电极分别设置于所述有源沟道层的两侧且包覆部分所述有源沟道层；所述电荷俘获层包括若干N型氧化物半导体薄膜和若干P型氧化物半导体薄膜，所述N型氧化物半导体薄膜和所述P型氧化物半导体薄膜交替堆叠设置，使得不仅能同时实现电编程与擦除操作，以及具有良好的数据保持特性，而且有利于降低所述非易失性存储器的操作电压，提高电编程与擦除效率。本发明还提供了所述非易失性存储器的制备方法。 |
