片上固态超级电容及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110815093.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436904A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436904A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01G11/30（2013.01）I;H01G11/02（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I;H01G11/84（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱宝;尹睿;张卫 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区碧波路690号401-23室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种片上固态超级电容，包括结构相同且对称设置的第一电极和第二电极，所述第一电极包括硅衬底、至少两个硅纳米柱、金属硅化物层、TiVN薄膜、导电柱以及凝胶层，所述硅纳米柱设置于所述硅衬底上，且所述硅纳米柱之间互不接触，所述金属硅化物层覆盖于所述硅纳米柱和所述衬底上，所述TiVN薄膜覆盖于所述金属硅化物层上，所述凝胶层覆盖于所述TiVN薄膜上，所述导电柱设置于任意一个所述纳米柱背向所述硅衬底一面上的金属硅化物层上，且所述导电柱不被所述TiVN薄膜和所述凝胶层覆盖，降低了功率损失，且降低了成本，结构简单便于制备，同时增强了循环的稳定性。本发明还提供了一种片上固态超级电容的制备方法。 |
