源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110648672.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113394269A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113394269A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/161（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈鲲;徐敏;张卫;杨静雯;王晨;徐赛生;吴春蕾;尹睿 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海慧晗知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐海晟;陈成 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区碧波路690号401-23室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种源漏接触金属的工艺方法、器件及其制备方法，源漏接触金属的工艺方法，包括：在基底上制作目标鳍片；在所述目标鳍片外外延锗硅材料，形成包围所述目标鳍片的目标锗硅外延层；所述目标锗硅外延层包括位于所述目标鳍片两侧的第一连接角与第二连接角；刻蚀掉所述目标锗硅外延层中的第一锗硅部分与第二锗硅部分，形成源漏的锗硅体层；所述第一锗硅部分包括所述第一连接角，所述第二锗硅部分包括所述第二连接角；在所述锗硅体层外沉积一层硅化物层；形成所述硅化物层与金属的接触连接。 |
