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1S1R型存储器集成结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110677823.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113421964A	公开（公告）日	2021-09-21
申请公布号	CN113421964A	申请公布日	2021-09-21
分类号	H01L45/00（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王晨;张卫;黄阳;唐灵芝	申请（专利权）人	上海集成电路制造创新中心有限公司
代理机构	上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	黄海霞
地址	200433上海市杨浦区邯郸路220号
法律状态	-

摘要

本发明提供了1S1R型存储器集成结构的制备方法，包括制备选通器和阻变存储器，以及将所述选通器和所述阻变存储器串联。所述制备方法使用元素组成相同浓度不同的两份旋涂液和所述反溶剂分别配合使用并通过低温旋涂工艺沉积于两个柔性导电衬底，实现了所述两个柔性导电衬底的导电面覆盖的阻变层具有同种元素组成且厚度不同，然后通过所述步骤S3在不同厚度的阻变层表面分别沉积不同金属材料形成不同顶电极就能够得到选通器和阻变存储器，工艺简单且通过所述步骤S4在所述选通器的顶电极施加正向电压刺激后，将所述选通器和所述阻变存储器串联得到所述1S1R型存储器集成结构从而实现了1S1R结构的柔性集成。本发明还提供了一种1S1R型存储器集成结构。