选通器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110680038.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113421965A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113421965A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L51/10（2006.01）I;H01L51/30（2006.01）I;H01L51/05（2006.01）I;H01L51/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王晨;张卫;黄阳;唐灵芝 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海恒锐佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄海霞 |
| 地址 | 200433上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种选通器，包括底电极、阻变层和顶电极。所述选通器的阻变层固定于底电极上，顶电极固定于阻变层上，底电极的组成材料为ITO导电玻璃，阻变层为钙钛矿薄膜，顶电极的组成材料为银，选通器结构简单，生产效率高，选通器开启速度快，具有较高开关比，通过简单的电场扫描刺激，可以促使银元素进入阻变层，进而提高选通器的阈值开关速度，具有稳定的双向阈值开关性能。本发明还提供了所述选通器的制备方法，包括清洗ITO导电玻璃；配制有机无机杂化钙钛矿溶液；通过旋涂工艺将有机无机杂化钙钛矿溶液旋涂于ITO导电玻璃上，形成钙钛矿薄膜；通过真空蒸发工艺在所述钙钛矿薄膜上沉积银电极。所述选通器的制备方法简单，成本低。 |
