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一种离子注入装置

基本信息

申请号 CN201510419657.6 申请日 -
公开（公告）号 CN105006417A 公开（公告）日 2015-10-28
申请公布号 CN105006417A 申请公布日 2015-10-28
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周向前;瞿鑫 申请（专利权）人 百及纳米科技（上海）有限公司
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 代理人 周向前;百及纳米科技（上海）有限公司
地址 100083 北京市海淀区学院路30号天工大厦B座1408室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及电子器件领域，公开了一种离子注入装置，包括：离子源，其用于产生并发射离子束；以及第一电极装置，其设置在离子源到样品的路径上，用于产生沿所述离子源的中轴线方向分布的锥形电场，并使所述离子束中不沿离子源的中轴线方向运动的离子在该锥形电场的作用下沿垂直于所述中轴线的方向偏转而不注入样品。此外，还在所述第一电极装置的下游设置有第二电极装置，用于产生辅助离子偏转的电场，该电场被施加时，沿中轴线方向的离子发生偏转而不注入样品，而该电场不被施加时，沿中轴线方向的离子穿过第二电极装置并注入到样品。本发明通过锥形电场进行离子束稀释，通过横向电场形成离子闸门，以实现少量离子甚至单离子的注入。