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一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法

基本信息

申请号 CN201210061392.3 申请日 -
公开（公告）号 CN102603273B 公开（公告）日 2013-12-18
申请公布号 CN102603273B 申请公布日 2013-12-18
分类号 C30B29/20(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张海霞;车永军;任雷 申请（专利权）人 锦州晶城三维铸造有限公司
代理机构 锦州辽西专利事务所 代理人 李辉
地址 辽宁省锦州市经济技术开发区锦港大街
法律状态 -

摘要

摘要 一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法，以高纯氧化铝为原料用造粒机制备氧化铝颗粒，放入盛料坩埚里，通过高频等离子加热装置对氧化铝颗粒烧结，得到高纯氧化铝烧结体。其优点是：高纯氧化铝在造粒、烧结过程中不引入其他杂质，不需添加粘结剂，避免了二次污染；采用高频等离子加热装置，设备成本低，生产效率高，避免了炉体的保温材料和发热材料的挥发物对氧化铝的污染；制得氧化铝烧结体堆积密度为3.7g/cm3～4.1g/cm3，纯度为99.999%～99.9999%，为泡生法生长蓝宝石单晶提供原料，可得到高品质和低缺陷密度的蓝宝石晶体。