去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材
基本信息
| 申请号 | CN202110424840.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113231386A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113231386A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | B08B3/08（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I;B08B3/10（2006.01）I;B08B3/02（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I | 分类 | 清洁; |
| 发明人 | 刘婷 | 申请（专利权）人 | 南京纳科半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州中合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗楠 |
| 地址 | 210000江苏省南京市浦口区江浦街道凤凰大街10号-NK0001 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材，属于半导体技术领域，去除氮化镓表面污染物的方法包括以下步骤：将预清洗的氮化镓样品浸入清洗液中浸泡，所述清洗液为双氧水和碱液的混合溶液；将浸泡结束后的氮化镓样品取出、冲洗、干燥；将干燥后的氮化镓样品在混合气氛中热处理，所述混合气氛由氮气、氢气和氨气组成。本发明通过双氧水和碱液的混合溶液刻蚀掉氮化镓表面的硅污染物，并形成均匀的致密氧化薄膜，防止氮化镓表面再次被空气中的硅杂质污染；再在混合气氛下处理氮化镓样品，可以使氮化镓表面的氧化薄膜分解，得到原子级清洁的氮化镓表面，以利于后续的二次外延生长，可以减少漏电流现象，提升氮化镓器件的可靠性。 |
