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芯片及固态纳米孔微阵列装置

基本信息

申请号 CN202023338736.X 申请日 -
公开（公告）号 CN214183159U 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN214183159U 申请公布日 2021-09-14
分类号 B01L3/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B1/00（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;C12Q1/6869（2018.01）I 分类 一般的物理或化学的方法或装置;
发明人 凌新生;曹铭 申请（专利权）人 苏州罗岛纳米科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 常亮
地址 215000江苏省苏州市工业园区若水路398号中科院纳米所D栋918室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种芯片及固态纳米孔微阵列装置，芯片包括SOI硅片和掩膜层；SOI硅片包括埋氧层、顶面硅层和底面硅层，掩膜层分别沉积在顶面硅层和底面硅层上；掩膜层上分别蚀刻有露出顶面硅层和底面硅层的轨迹线，每个掩膜层上的轨迹线的条数至少为2条；沿着轨迹线，顶面硅层和底面硅层上分别腐蚀形成露出埋氧层的V形槽；埋氧层上位于顶面硅层和底面硅层的V形槽交汇处腐蚀有纳米孔，避免了TEM/HIM打孔的步骤，简化了芯片制备步骤，降低了成本。芯片上阵列有多个纳米孔，采用相同的微流控通道和膜片钳设备，一次就可以完成单孔芯片数次才能完成的测试任务，大大提高了测试效率，提高了测试通量。