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一种石墨烯场致发射源的制备方法

基本信息

申请号	CN202111198934.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113943932A	公开（公告）日	2022-01-18
申请公布号	CN113943932A	申请公布日	2022-01-18
分类号	C23C16/26（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C8/20（2006.01）I;H01J9/02（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	黄世耀;罗理;石雷;楼洪四;汪强;李腾;秦春林	申请（专利权）人	重庆信合启越科技有限公司
代理机构	重庆乐泰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张丽楠
地址	401329重庆市九龙坡区凤笙路15号6幢
法律状态	-

摘要

本发明的目的在于提供一种石墨烯场致发射源的制备方法，本方法通过高温将含碳气体中的碳原子溶解到金属材料之中，通过阶段性降温的过程将碳析出到金属表面形成石墨烯层，并且对碳源浓度和降温过程的控制可以实现对石墨烯层厚度与规模的控制，石墨烯与其金属基底结合更加的紧密，两者之间电阻远小于通过转移后制备的发射体，在大电流通过结合部位时发热量更小，同时发射尖端露出的金属基底可以有效接收靶材反射的二次电子等，减少石墨烯发射尖端由于电子或离子回轰造成的损伤。在使用本方法制备的石墨烯场致发射源可以有效的提高阴极的发射电流密度，具有很低的开启场和阈值场，稳定性好的特点；同时，其制备方法简单、能耗低、易于实现工业化生产；在制成发射部件后功率更高，稳定性更好，寿命更长。