一种半导体器件高温测试用的加热装置及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111385769.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114302512A | 公开（公告）日 | 2022-04-08 |
| 申请公布号 | CN114302512A | 申请公布日 | 2022-04-08 |
| 分类号 | H05B3/02（2006.01）I;H05B3/22（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I;G01R31/28（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 莫右;曾昭孔;朱军;张岩 | 申请（专利权）人 | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李萍 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区苏桐路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件高温测试用的加热装置及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：A、提供待固定到陶瓷发热片上的石墨片，所述陶瓷发热片设于一安装座的上表面；B、将含有石墨粉的粘合剂涂敷在所述陶瓷发热片的表面上，并将石墨片覆于所述陶瓷发热片上；C、加热并在所述石墨片上施加压力，以使所述粘合剂固化并将所述石墨片固定在所述陶瓷发热片上。本发明的加热装置在高温或测试时间较长的情况下也具有较好的导热性能，稳定性好且减少了装置维护的工作量。 |
