封装结构及封装结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202111370112.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114038814A | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN114038814A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L23/31（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/535（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮 | 申请（专利权）人 | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱得菊;唐嘉 |
| 地址 | 215021江苏省苏州市工业园区苏桐路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种封装结构及其形成方法，结构包括：基板；固定于基板上的晶片，所述晶片包括相对的功能面和非功能面，所述晶片的非功能面固定于基板表面，所述晶片的面积小于所述基板的面积；位于基板上的第一钝化层，所述第一钝化层还位于晶片的顶部表面和侧壁表面；位于第一钝化层上和晶片上的再布线层，所述再布线层与晶片电连接；位于再布线层上的焊接层，所述焊接层与晶片上的再布线层电连接。所述封装结构的翘曲度得到改善。 |
