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一种二极管芯片酸洗工艺

基本信息

申请号	CN201410651917.8	申请日	-
公开（公告）号	CN104399702B	公开（公告）日	2017-01-18
申请公布号	CN104399702B	申请公布日	2017-01-18
分类号	B08B3/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I	分类	清洁;
发明人	蔡彤;张练佳;贲海蛟;梅余锋	申请（专利权）人	江苏宏锦建设有限公司
代理机构	北京一格知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	如皋市易达电子有限责任公司;杨佳伟;江苏新东亚建设有限公司
地址	226500 江苏省南通市如皋市搬经镇群岸村7组
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种二极管芯片酸洗工艺，所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗清洗时间110‑125s，二次酸洗清洗时间70‑78s；所述一次酸洗的清洗液为HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂SO₄的混合液，所述二次酸洗的清洗液为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液；所述一次酸洗液中HNO₃：HF：CH₃COOH和H₂SO₄的体积比为9:9:12:4；所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的体积比为1:0.8:3:0.2。本发明的优点在于：本发明的酸洗工艺中，在二次酸洗液中加入了冰醋酸，利用冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸铅，避免硫酸铅会吸附到芯片的侧面，提高了二极管芯片的电性能。