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一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法

基本信息

申请号 CN201380082039.6 申请日 -
公开（公告）号 CN106030811A 公开（公告）日 2019-04-26
申请公布号 CN106030811A 申请公布日 2019-04-26
分类号 H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 李泽宏;宋文龙;宋洵奕;顾鸿鸣;邹有彪;张金平;张波 申请（专利权）人 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
代理机构 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） 代理人 葛启函
地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号
法律状态 -

摘要

摘要 一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法，涉及半导体技术，制作方法包括：以P+单晶硅片为衬底（11），首先在P+单晶硅衬底（11）表面外延生长P型层（12），然后在P型层（12）表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层（13），其中P型层（12）是超结部分的耐压层，N型层（13）是器件正面MOS部分的形成区域，在器件正面工艺完成后进行背面减薄，通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火，形成超结结构中的N柱区（25）。本发明的有益效果为，制作方法简单，降低了制造工艺难度，减少了制造成本，尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。