一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610524876.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105970168B | 公开（公告）日 | 2018-07-27 |
| 申请公布号 | CN105970168B | 申请公布日 | 2018-07-27 |
| 分类号 | C23C14/34;C23C14/30;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;G01D21/02 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 赵晓辉;李海涛;蒋洪川;张万里 | 申请（专利权）人 | 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 | 代理人 | 吴姗霖 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种薄膜传感器用复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。包括四层结构，自下而上依次为非晶Al‑O‑N扩散阻挡层、Al‑O‑N至Al2O3过渡层、电子束蒸发Al2O3薄膜层、微晶Al2O3氧扩散阻挡层。本发明复合绝缘层中的非晶Al‑O‑N薄膜致密性好且呈非晶状态，对金属原子具有良好的扩散阻挡效果；过渡层能有效改善非晶Al‑O‑N层与Al2O3层间的附着力；Al2O3薄膜层之上的微晶层在高温下能有效阻止外界氧原子扩散进入Al‑O‑N层，保持了高温富氧环境中Al‑O‑N薄膜的非晶状态，使得复合绝缘层在高温富氧的工作环境中依然具有良好的绝缘性，有效保证了薄膜传感器在高温环境中的稳定性和使用寿命。 |
