一种双向MOS型器件及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种双向MOS型器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN201480075122.5	申请日	-
公开（公告）号	CN105993076B	公开（公告）日	2019-03-01
申请公布号	CN105993076B	申请公布日	2019-03-01
分类号	H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	张金平;李泽宏;刘竞秀;任敏;张波;李肇基	申请（专利权）人	东莞电子科技大学电子信息工程研究院
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	葛启函
地址	611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号
法律状态	-

摘要

一种双向MOS型器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在对称的平面栅MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的单位漂移区长度耐压，并具有低的导通压降/电阻特性。