一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510104153.5 申请日 -
公开(公告)号 CN104726862B 公开(公告)日 2018-06-19
申请公布号 CN104726862B 申请公布日 2018-06-19
分类号 C23C28/00;C23C14/35 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 赵晓辉;王亦然;杨柯;蒋书文;蒋洪川;熊杰;张万里 申请(专利权)人 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
代理机构 电子科技大学专利中心 代理人 李明光
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法,属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层,其中,非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜,氧化钇与氧化铝的摩尔比为1:(1~20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能,降低器件的失效几率,为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。