一种射频LDMOS晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510290509.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104992978B | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申请公布号 | CN104992978B | 申请公布日 | 2018-11-23 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邓小川;梁坤元;甘志;萧寒;李妍月;张波 | 申请（专利权）人 | 东莞电子科技大学电子信息工程研究院 |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 葛启函 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种射频LDMOS晶体管及其制造方法。本发明的技术方案，主要为将传统的LDMOS法拉第罩设置为多段结构，分段后的金属相互独立，从而使靠近漏端处的金属块浮空，能够改善浮空后金属与其下面漂移区的电势差，从而降低靠近漏端边缘的电场峰值，提高击穿电压。本发明的有益效果为，能够有效改善N型轻掺杂漂移区的电场分布，使之更加均匀，从而可以在保持击穿电压不变条件下提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻。本发明尤其适用于射频LDMOS晶体管及其制造。 |
