p型单晶硅片的表面处理方法
基本信息
| 申请号 | CN200610054245.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100497763C | 公开（公告）日 | 2009-06-10 |
| 申请公布号 | CN100497763C | 申请公布日 | 2009-06-10 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 黎学明;刘成伦;王力春;黄辉;聂福德;黄亨健 | 申请（专利权）人 | 重庆兰花太阳能电力股份有限公司 |
| 代理机构 | 重庆大学专利中心 | 代理人 | 重庆大学 |
| 地址 | 400044重庆市沙坪坝区沙正街174号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种p型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，然后对p型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。 |
