一种钝化接触结构制备方法和具有钝化接触结构的晶体硅
基本信息
| 申请号 | CN202110130675.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112768565A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112768565A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 杜哲仁;赵影文;杨俊楠;张志郢;季根华 | 申请（专利权）人 | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人 | 袁芳;耿璐璐 |
| 地址 | 225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种钝化接触结构制备方法，在晶体硅上形成SiOx/AlOx/p‑poly的三层式钝化接触结构，包括：S1:对晶体硅片进行预处理；S2:在预处理后的晶体硅片表面制备AlOx薄膜；S3:在制备完AlOx薄膜的晶体硅片表面再制备非晶硅薄膜，非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或掺硼非晶硅薄膜；S4:对本征非晶硅薄膜进行硼掺杂处理，本征非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助硼掺杂处理中的退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；或对掺硼非晶硅薄膜进行退火处理，掺硼非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；S5:清洗BSG。按本发明钝化接触结构制备方法，可省去单独制备SiOx层的工序，且带负电荷AlOx薄膜的存在可增强p‑poly硅的载流子选择性，从而增强钝化效果。 |
