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一种去除正面多晶硅绕镀的方法

基本信息

申请号	CN202010163577.X	申请日	-
公开（公告）号	CN111341881B	公开（公告）日	2021-08-20
申请公布号	CN111341881B	申请公布日	2021-08-20
分类号	H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	陈嘉;展士飞;陈程;邱军辉;陆佳;刘志锋;林建伟	申请（专利权）人	泰州中来光电科技有限公司
代理机构	北京金之桥知识产权代理有限公司	代理人	李托弟
地址	225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种去除正面多晶硅绕镀的方法。包括：（1）、对硅片正面进行硼扩散，形成p+发射极、正面硼硅玻璃层；（2）、刻蚀硅片背面，将背面刻蚀成平面，去除背面和四周硼掺杂层、硼硅玻璃层，去除正面硼硅玻璃层；（3）、在硅片背面生长隧穿氧化层和本征非晶硅层，在硅片正面边缘区域形成正面绕镀多晶硅层；（4）、在本征非晶硅层上离子注入，形成磷硅玻璃层，并退火，形成掺磷多晶硅层；（5）、在掺磷多晶硅层上镀氮化硅层；（6）将硅片置于碱与单晶添加剂的混合溶液中，去除正面绕镀多晶硅层；（7）在硅片两面均镀氧化铝层，并在正面氧化铝层上镀钝化减反膜层。本发明可以很好地控制碱绕镀溶液中碱液和绕镀多晶硅的反应速率，增加反应窗口。